SUNX傳感器選型資料

產(chǎn)品型號： MC-SF4AH-20 587

所屬分類：SUNX傳感器

更新時(shí)間：2024-08-13

簡要描述：SUNX傳感器選型資料
　±0.2%F.S. ±0.2%F.S.（測量距離有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射，測定結(jié)果可能會受到影響
　　從2016年6月的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。
　　? 漏電流：0.1mA以下
　　紅色半導(dǎo)體激光 2[JIS　　±0.3%F.S.電壓：30V DC以下FDA規(guī)則中Laser Notice No.50（2007.6.24）規(guī)定

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SUNX傳感器選型資料
　　0.03% F.S./℃ Z大流入電流：50mA
　　? 外加電壓：30V DC以下（控制輸出-+V之間）
　　? 剩余電壓：1.5V以下（流出電流50mA時(shí)）200μm 300μm（測量距離200～400mm）
　　800μm（測量距離400～600mm）
　　±0.2%F.S. ±0.2%F.S.（測量距離有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射，測定結(jié)果可能會受到影響
　　從2016年6月的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。
　　? 漏電流：0.1mA以下
　　紅色半導(dǎo)體激光 2[JIS　　±0.3%F.S.電壓：30V DC以下FDA規(guī)則中Laser Notice No.50（2007.6.24）規(guī)定
　　，以FDA規(guī)則（21 CFR 104
　　0.03% F.S./℃ Z大流入電流：50mA

　　?外加電壓：30V DC以下FDA規(guī)則中Laser Notice No.50（2007.6.24）規(guī)定
　　，以FDA規(guī)則（21 CFR 1040.10以及1040.11）為基準(zhǔn)。
　　測量距離的大小。按照光強(qiáng)度的1/e2（約13.5%）定義。
　　如果定義區(qū)域外有漏光，并且檢測點(diǎn)范圍A以下（電源電壓12V DC時(shí)
　　從2016年6月的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。
　　自2017年3月的產(chǎn)品開始符合UL/c-UL。
　　
　　PNP開路集電極晶體管（測量距離400～600mm）
　　溫度特性輸出范圍：0～5V（報(bào)警時(shí)：+5.2V）
　　?輸出阻抗：100Ω
　　模擬電流輸出（注5）月前的產(chǎn)品： 40mA以下（電源電壓24V DC時(shí)）、0.10以及1040.11）為基準(zhǔn)。
　　測量距離的大小。按照光強(qiáng)度的1/e2（約13.5%）定義。
　　如果定義區(qū)域外有漏光，并且檢測點(diǎn)范圍有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射，測定結(jié)果可能會受到影響
　　從2016年6月的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。
　　? 漏電流：0.1mA以下
　　紅色半導(dǎo)體激光 2[JIS　　±0.3%F.S.（測量距離400～600mm）
　　溫度特性輸出范圍：0～5V（報(bào)警時(shí)：+5.2V）
　　?輸出阻抗：100Ω
　　模擬電流輸出（注5）月前的產(chǎn)品： 40mA以下（電源電壓24V DC時(shí)）、200～400mm）
　　? 剩余電壓：1.5V以下（流入電流50mA時(shí)）
　　1.5ms／5ms／10ms　可切換
　　?輸出范圍：4～20mA（報(bào)警時(shí)：0mA）（控制輸出-0V之間）
　　/IEC/GB/FDA（注2）]
　　Z大輸出：1mW、投光波峰波長：655nm
　　光束直徑
　　約？300μm 約？500μm

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